正电子湮没谱仪基本原理：正电子的捕获与湮没

（1）在无缺陷的完整晶格中，正电子受库仑排斥作用，集中在原子间隙位置。

（2）有空位型缺陷存在时，缺陷成为正电子的捕获中心。

（3）湮没特征反应材料性质，包括缺陷（尺寸、分布、密度等）、自 由 体 积 （ 尺 寸 、 分 布 、 密 度等） 、化学环境等。

应用案例一：正电子湮没寿命和强度

应用案例二：正电子湮没寿命和强度

应用案例三：正电子湮没寿命分布

应用案例四：正电子湮没寿命分布

应用案例五：自由体积尺寸分布

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