A1008 配备了一个 8 通道谱放大器 NIM 单槽宽度。波形整形使用有源滤波器方法，接近理想高斯整形。使用最新的低噪声 FET，抑制输入噪声特性4μV 或更低。它还具有有源门控基线恢复器，因此可以用于高计数率等测量。A1008 可以实现出色的分辨率和线性度，尤其是在使用
HPGe 半导体探测器尤为明显。

● 增益范围：x1〜x750

● 脉冲形状：高斯整形，峰值时间 2.2τ，脉冲宽度 6τ

● 噪声：Input Referred <4μV 2μsST Gain≧100

● 积分非线性：< ±0.05％ 2μsST

● 基线恢复器：主动门控自动阈值

●高速率特征：Peak Spared Maximum 15% case 2μs, input rate50kcps

● 通道数:8通道

● 初步增益：×20/×50/×100/×200/×500

● 精确增益：×0.5〜×1.5（从前面板上的电位计中选择）

● PZ ADJ：40μs〜∞（从前面板上的电位计中选择）

● 偏置电压：±40mV

● 成形时间：0.5/2/6μs

● 模拟输入范围：8通道LEMO连接器，范围为±1.5 V，输入阻抗为1 kΩ

● 模拟输出范围：8通道LEMO连接器，正极单极0-10V，输出电流｜45mA

● 前放电源：±12V, ±24V, D-sub9 pin接口

● 尺寸：NIM单槽宽 34(W) x 221(H) x 249(D) mm

实测图示